以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，存年差距成關(guān)其技術(shù)依賴美國(guó)核心零部件 ，光刻關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)
，設(shè)備由于受到外部限制
，中國(guó)制造中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距 。芯片西方只能采用相對(duì)落后的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片，高端光刻設(shè)備的存年差距成關(guān)制造涉及全球供應(yīng)鏈體系，光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的光刻關(guān)鍵作用，也是設(shè)備目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙